Untersuchungen zur Stromgenerierung eines strahleninduzierten Defektes in Silizium (The mechanism of current generation in irradiated silicon diodes)

Author: 
Coralie Neubüser
Date: 
Nov 2010

Thesis Type:

This work focuses on the bistability of the cluster related V3 defect of n-type silicon detectors and examines the change between the two con_guration modifications: E75 and E4/E5. The planar E4/E5 con_guration give rise to two different deep defect
levels in the band gap, while the E75 fourfold-configuration results in a very shallow defect level. The results of the measurements show the direct correlation of the defect concentration of E4/E5 and the reverse current. Also it was revealed that the
injected charge density is responsible for the proportion of the reconfigurated defect concentration. Defect concentrations were obtained by means of Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) while the depletion voltage and reverse current were extracted
from capacitance voltage (CV) and current voltage (IV) characteristics.

Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bistabilität des Cluster-Defektes V3 in n-dotierten Silizium-Detektoren untersucht. Dieser tritt in zwei Konfigurationen auf: E75 (ein sehr aches Defektniveau in der Bandlücke) und E4/E5 (zwei tiefe Defektniveaus).
Es konnte eine Korrelation des Sperrstroms mit der E4/E5-Konzentration bestätigt werden. Ebenfalls ließ sich die Beobachtung machen, dass die injizierte mittlere Ladungsträgerdichte für den Anteil der umkonfigurierten Defekte verantwortlich ist. Die
Messungen der Defektkonzentrationen wurde mit dem Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)-Verfahren durchgeführt. Die Verarmungsspannung und der Sperrstrom wurden mit Hilfe der Kapazitäts-Spannungs- und Strom-Spannungs-Kennlinien bestimmt.

Research Activities: